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三星電子落后于臺積電的三大原因如下：在半導體微縮化方面，臺積電在全球處于領先地位。臺積電已經成功量產了7納米和5納米芯片，并計劃在未來實現2納米芯片的量產。相比
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國產DRAM內存芯片和三星的技術差距大約是5年。具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產第五代10nm級（1b或者說12nm）內存芯片，而國產DRAM代表企業
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